摩托罗拉有点慌？4nm芯片良率35%，3nm良率仅10%-20%

毫无疑问，当前在晶圆厂商上，只有Galaxy尽可能与TSMC市场竞争一下了。但事实上，从市场比率来看，两者相差还非常大的，TSMC的比率有55%约莫，而Galaxy只有20%约莫。

Galaxy唯一拿得出手市场竞争的，其实是自己铅了点矿物质的手工，似乎与TSMC不相上下，同时转到5nm，便转到4nm，便转到3nm，甚至在3nm上，Galaxy还要转用GAAFET技术，比TSMC的FinFET技术更先进。

以后Galaxy已经赢得了高通的全力支持，高通将自己的5nm集成电路骁龙888、4nm集成电路8Gen1都交给Galaxy厂商。

所以Galaxy信心满满，要在3nm时想办法追上并将近TSMC，未来形同为晶圆厂商的双龙，打败TSMC。

不过4nm手工开局不利，Galaxy帮高通代的骁龙8Gen1，表现不给力。更重要的是确实传闻Galaxy4nm手工的良率只有35%约莫。

也就是说晶圆工业用形同集成电路，只有三分之一是可用的，另外的三分之二是残次品，导致Galaxy产能较高、成本很慢，高通都不了了，要转单TSMC，原材料另外一批8Gen1。

而近来，新闻界PhoneArena报道，不仅4nm良率较高，Galaxy在试验性的3nm良率更是较高到离谱。

按照PhoneArena的说法，Galaxy原材料商早期的3nm良率仍然在10%至20%错综复杂，比4nm那35%的良率糟糕多了。

为何3nm良率这么较高，主因是Galaxy在3nm时，转用全环栅极晶体管架构（GAAFET），这是业界首次转用这种技术，Galaxy也是第一次。

比起于以后从14nm手工就可用的FinFET晶体管，Galaxy也是完全一定会经验，便加上本来就难度大，所以导致良率较高。

Galaxy肯定目前在大力提升良率，要并不知道10-20%的良率，究竟究竟无法试验性，会导致形同本大增，同时产能大降，毕竟10块集成电路之中，才1-2颗可用，其它的8、9颗都是坏的，你说形同本会高到哪里去？只怕原材料出来，定价贵到消费都用不起啊。